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2N6798U
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：18-ULCC（9.14x7.49）
  • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號：2N6798U
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類型：N 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：200V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：5.5A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：400 毫歐 @ 3.5A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：5.29nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：800mW（Ta），25W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：18-ULCC（9.14x7.49）
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